该方案代表了实现异构集成的有希望的途径，国网高压公司这对于能够结合已建立的半导体技术和新兴二维材料的高性能光电子系统至关重要。

发现光电流的方向和空间分布敏感地取决于偏置电压，湖北候选并且即使在平均光电流接近零的电压下也能检测到逆流光电流通道。在测量过程中，省电授权STM尖端放置在b中红点指示的位置。

蓝色和红色阴影分别代表从基板到尖端的电流，力超反之亦然。年第红色和蓝色箭头分别显示产生负光电流和正光电流的电子转移过程。采购成交光电流和光致发光信号的强度针对入射激光强度(约10 μW)进行归一化。

(c，国网高压公司b)所示图像中FBPc分子的方向。插图是在Vs = −2.1 V处测量的FBPc分子的暗电流图像，湖北候选显示了STM尖端位置。

省电授权插图显示了测量期间的STM尖端位置。

六、力超总结与展望总之，作者的观察清楚地证明了光电流的产生受激发态的前沿分子轨道及其与金属电极的耦合控制。年第相关阅读：小米电视SPro上架65/75英寸新品:MiniLED千级分区,预售价4699元起小米大家电业务将重组:小米电视并入手机。

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